東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號(hào)中的插入損耗，并抑制功率衰減[1]，適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)?em>半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。
TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號(hào)的傳輸特性提高到20GHz（典型值）[2]——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。
TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號(hào)傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產(chǎn)品，將有助于提高測(cè)量效率。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品線，為更高速和更強(qiáng)大功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備提供支持。
S21插入損耗特性
■ 應(yīng)用：
- 半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（高速存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備、高速邏輯測(cè)試設(shè)備等）
- 探測(cè)卡
- 測(cè)量設(shè)備
■ 特性：
- 業(yè)界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）
- 改善高頻信號(hào)的傳輸：當(dāng)插入損耗（S21）＝–3dB時(shí)，f＝20GHz（典型值）
- 常開(kāi)功能（1-Form-A）
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
器件型號(hào) | TLP3475W | |||
封裝 | 名稱 | WSON4 | ||
尺寸（mm） | 1.45í2.0（典型值），厚度＝0.8（典型值） | |||
絕對(duì)最大額定值 | 斷態(tài)輸出端電壓VOFF（V） | 60 | ||
導(dǎo)通電流ION（A） | 0.4 | |||
導(dǎo)通電流（脈沖）IONP（A） | 1.2 | |||
工作溫度Topr（℃） | –40至110 | |||
耦合電氣特性 | 觸發(fā)LED電流IFT（mA） | 最大值 | 3.0 | |
導(dǎo)通電阻RON（Ω） | 典型值 | 1.1 | ||
最大值 | 1.5 | |||
電氣特性 | 輸出電容COFF（pF） | 最大值 | 20 | |
開(kāi)關(guān)特性 | 導(dǎo)通時(shí)間tON（ms） | @RL＝200Ω、 VDD＝20V、 IF＝5mA | 最大值 | 0.25 |
關(guān)斷時(shí)間tOFF（ms） | 0.2 | |||
隔離特性 | 隔離電壓BVS（Vrms） | 最小值 | 300 | |
注：
[1] 當(dāng)頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬(wàn)兆赫茲時(shí)。
[2] 信號(hào)通過(guò)輸出MOSFET時(shí)功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。
[3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調(diào)查。